IRFH8202TRPBF - MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

codice articolo del costruttore

IRFH8202TRPBF

Numero parte interna

AX-IRFH8202TRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

618875 Pieces

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Specifiche per IRFH8202TRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFH8202TRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 25V 100A PQFN

Serie : HEXFET®, StrongIRFET™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 47A (Ta), 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7174pF @ 13V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.6W (Ta), 160W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (5x6)

Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFH , IRFH82

Documenti per IRFH8202TRPBF

Schede tecniche : IRFH8202TRPBF.pdf

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