IRFH8202TRPBF Scheda dati
Specifiche per IRFH8202TRPBF
Numero parte : IRFH8202TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Serie : HEXFET®, StrongIRFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 47A (Ta), 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.05 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7174pF @ 13V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.6W (Ta), 160W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso : 8-PowerTDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 100A PQFN
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
618875 pezzi
Prezzo di riferimento
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