EPC2111ENGRT - GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

codice articolo del costruttore

EPC2111ENGRT

Numero parte interna

AX-EPC2111ENGRT

fabbricante

EPC

Breve descrizione

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

303635 Pieces

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Specifiche per EPC2111ENGRT

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EPC2111ENGRT

fabbricante : EPC

Descrizione : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)

Caratteristica FET : GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 15V, 590pF @ 15V

Potenza - Max : -

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : Die

Pacchetto dispositivo fornitore : Die

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EPC2 , EPC211

Documenti per EPC2111ENGRT

Schede tecniche : EPC2111ENGRT.pdf

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