EPC2111ENGRT Scheda dati
Specifiche per EPC2111ENGRT
Numero parte : EPC2111ENGRT
fabbricante : EPC
Descrizione : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potenza - Max : -
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : Die
Pacchetto dispositivo fornitore : Die
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-EPC2111ENGRT
fabbricante
Breve descrizione
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
303635 pezzi
Prezzo di riferimento
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