DMT6007LFGQ-7 - MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333

codice articolo del costruttore

DMT6007LFGQ-7

Numero parte interna

AX-DMT6007LFGQ-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

916260 Pieces

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Specifiche per DMT6007LFGQ-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMT6007LFGQ-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41.3nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2090pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8

Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMT6 , DMT600

Documenti per DMT6007LFGQ-7

Schede tecniche : DMT6007LFGQ-7.pdf

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