DMT6007LFGQ-7 Scheda dati
Specifiche per DMT6007LFGQ-7
Numero parte : DMT6007LFGQ-7
fabbricante : Diodes Incorporated
Descrizione : MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Serie : Automotive, AEC-Q101
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 15A (Ta), 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41.3nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2090pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerDI3333-8
Pacchetto / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI333
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
916260 pezzi
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