R8010ANX - MOSFET N-CH 800V 10A TO220

codice articolo del costruttore

R8010ANX

Numero parte interna

AX-R8010ANX

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

146575 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 1.914~~

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Specifiche per R8010ANX

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : R8010ANX

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 10A TO220

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 560 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1750pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 40W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220FM

Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per R8010ANX

Schede tecniche : R8010ANX.pdf

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