IPS110N12N3GBKMA1 - MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

codice articolo del costruttore

IPS110N12N3GBKMA1

Numero parte interna

AX-IPS110N12N3GBKMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

10024 Pieces

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Specifiche per IPS110N12N3GBKMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPS110N12N3GBKMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 120V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 83µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 65nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4310pF @ 60V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 136W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO251-3

Pacchetto / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPS11 , IPS110N1

Documenti per IPS110N12N3GBKMA1

Schede tecniche : IPS110N12N3GBKMA1.pdf

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