IPB120N06S4H1ATMA2 - MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IPB120N06S4H1ATMA2
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPB120N06S4H1ATMA2
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 270nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 21900pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 250W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IPB120N06S4H1ATMA2
Schede tecniche : IPB120N06S4H1ATMA2.pdf
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