FQB4N80TM - MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQB4N80TM
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
514735 Pieces
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Specifiche per FQB4N80TM
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FQB4N80TM
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Serie :
QFET®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
880pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.13W (Ta), 130W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FQB4N80TM
Schede tecniche :
FQB4N80TM.pdf
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