A2V07H525-04NR6 - AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
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AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per A2V07H525-04NR6
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : A2V07H525-04NR6
fabbricante : NXP USA Inc.
Descrizione : AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
Serie : -
Stato parte : Active
Transistor Type : LDMOS
Frequenza : 595MHz ~ 851MHz
Guadagno : 17.5dB
Tensione - Test : 48V
Valutazione attuale : 10µA
Figura di rumore : -
Corrente - Test : 700mA
Potenza - Uscita : 120W
Tensione: nominale : 105V
Pacchetto / caso : OM-1230-4L
Pacchetto dispositivo fornitore : OM-1230-4L
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per A2V07H525-04NR6
Schede tecniche : A2V07H525-04NR6.pdf
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