CSD25202W15T - MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per CSD25202W15T

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : CSD25202W15T
fabbricante : Texas Instruments
Descrizione : MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Serie : NexFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.05V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo) : -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 500mW (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 9-DSBGA
Pacchetto / caso : 9-UFBGA, DSBGA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : CSD2 , CSD252

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Schede tecniche : CSD25202W15T.pdf

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