JANTXV1N5615US - DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
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DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
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Specifiche per JANTXV1N5615US
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : JANTXV1N5615US
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/429
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 3A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 500nA @ 600V
Capacità @ Vr, F : 45pF @ 12V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : SQ-MELF, A
Pacchetto dispositivo fornitore : D-5A
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per JANTXV1N5615US
Schede tecniche : JANTXV1N5615US.pdf
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