TK40P03M1(T6RDS-Q) - MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
12744 Pieces
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Specifiche per TK40P03M1(T6RDS-Q)
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TK40P03M1(T6RDS-Q)
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
Serie :
U-MOSVI-H
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1150pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
-
temperatura di esercizio :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DPAK
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TK40P03M1(T6RDS-Q)
Schede tecniche :
TK40P03M1(T6RDS-Q).pdf
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