IXTB30N100L - MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

codice articolo del costruttore

IXTB30N100L

Numero parte interna

AX-IXTB30N100L

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

17368 Pieces

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Specifiche per IXTB30N100L

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTB30N100L

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 545nC @ 20V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 13200pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 800W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PLUS264™

Pacchetto / caso : TO-264-3, TO-264AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTB3

Documenti per IXTB30N100L

Schede tecniche : IXTB30N100L.pdf

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