TK7S10N1Z,LQ - MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

codice articolo del costruttore

TK7S10N1Z,LQ

Numero parte interna

AX-TK7S10N1Z,LQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

856420 Pieces

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Specifiche per TK7S10N1Z,LQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK7S10N1Z,LQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Serie : U-MOSVIII-H

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 48 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 470pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tc)

temperatura di esercizio : 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK+

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK7S , TK7S10

Documenti per TK7S10N1Z,LQ

Schede tecniche : TK7S10N1Z,LQ.pdf

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