PSMN6R3-120ESQ - MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

codice articolo del costruttore

PSMN6R3-120ESQ

Numero parte interna

AX-PSMN6R3-120ESQ

fabbricante

Nexperia USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

167595 Pieces

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Specifiche per PSMN6R3-120ESQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PSMN6R3-120ESQ

fabbricante : Nexperia USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 120V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 207.1nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 11384pF @ 60V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 405W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAK

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PSMN , PSMN6R3

Documenti per PSMN6R3-120ESQ

Schede tecniche : PSMN6R3-120ESQ.pdf

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