ES6U3T2CR - MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

codice articolo del costruttore

ES6U3T2CR

Numero parte interna

AX-ES6U3T2CR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2388795 Pieces

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Specifiche per ES6U3T2CR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : ES6U3T2CR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 70pF @ 10V

Caratteristica FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-WEMT

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per ES6U3T2CR

Schede tecniche : ES6U3T2CR.pdf

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