VS-10ETF10S-M3 - DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
469530 Pieces
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Specifiche per VS-10ETF10S-M3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
VS-10ETF10S-M3
fabbricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione :
DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
1000V
Corrente: media rettificata (Io) :
10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.33V @ 10A
Velocità :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
310ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
100µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore :
D2PAK
Temperatura operativa - Giunzione :
-40°C ~ 150°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per VS-10ETF10S-M3
Schede tecniche :
VS-10ETF10S-M3.pdf
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