APTM120U10SAG - MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
9412 Pieces
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Specifiche per APTM120U10SAG
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
APTM120U10SAG
fabbricante :
Microsemi Corporation
Descrizione :
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
116A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1100nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
28900pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3290W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SP6
Pacchetto / caso :
SP6
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per APTM120U10SAG
Schede tecniche :
APTM120U10SAG.pdf
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