GP2M002A065CG - MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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21000 Pieces
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Specifiche per GP2M002A065CG
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
GP2M002A065CG
fabbricante :
Global Power Technologies Group
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
8.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
353pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
52W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-Pak
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per GP2M002A065CG
Schede tecniche :
GP2M002A065CG.pdf
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