DMN2014LHAB-7 - MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

codice articolo del costruttore

DMN2014LHAB-7

Numero parte interna

AX-DMN2014LHAB-7

fabbricante

Diodes Incorporated

Breve descrizione

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

2187735 Pieces

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Specifiche per DMN2014LHAB-7

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : DMN2014LHAB-7

fabbricante : Diodes Incorporated

Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Caratteristica FET : Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1550pF @ 10V

Potenza - Max : 800mW

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 6-UFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore : U-DFN2030-6 (Type B)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : DMN2 , DMN201

Documenti per DMN2014LHAB-7

Schede tecniche : DMN2014LHAB-7.pdf

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