AOTF3N100 - MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
Stato RoHS
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Specifiche per AOTF3N100

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AOTF3N100
fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 830pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 38W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3F
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : AOT , AOTF

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Schede tecniche : AOTF3N100.pdf

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