CSD18536KTTT - MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-CSD18536KTTT
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
111575 Pieces
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Specifiche per CSD18536KTTT
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
CSD18536KTTT
fabbricante :
Texas Instruments
Descrizione :
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Serie :
NexFET™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
200A (Ta), 279A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
140nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
11430pF @ 30V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
375W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DDPAK/TO-263-3
Pacchetto / caso :
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per CSD18536KTTT
Schede tecniche :
CSD18536KTTT.pdf
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