CYD09S18V18-200BBXC - IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

codice articolo del costruttore

CYD09S18V18-200BBXC

Numero parte interna

AX-CYD09S18V18-200BBXC

fabbricante

Cypress Semiconductor Corp

Breve descrizione

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

12120 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per CYD09S18V18-200BBXC

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : CYD09S18V18-200BBXC

fabbricante : Cypress Semiconductor Corp

Descrizione : IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : SRAM

Tecnologia : SRAM - Dual Port, Synchronous

Dimensione della memoria : 9Mb (512K x 18)

Frequenza di clock : 200MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : 3.3ns

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

temperatura di esercizio : 0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 256-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 256-FBGA (17x17)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : CYD09S , CYD09S18V

Documenti per CYD09S18V18-200BBXC

Schede tecniche : CYD09S18V18-200BBXC.pdf

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