IPG16N10S461AATMA1 - MOSFET 2N-CH 8TDSON
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1143145 Pieces
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Specifiche per IPG16N10S461AATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPG16N10S461AATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 9µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
490pF @ 25V
Potenza - Max :
29W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TDSON-8-10
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPG16N10S461AATMA1
Schede tecniche :
IPG16N10S461AATMA1.pdf
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