BSP89H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 4SOT223

codice articolo del costruttore

BSP89H6327XTSA1

Numero parte interna

AX-BSP89H6327XTSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 4SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1790150 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per BSP89H6327XTSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSP89H6327XTSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 4SOT223

Serie : SIPMOS®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 240V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 350mA (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.8V @ 108µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 140pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.8W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-SOT223-4

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSP89 , BSP89H6

Documenti per BSP89H6327XTSA1

Schede tecniche : BSP89H6327XTSA1.pdf

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