BSP89H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 4SOT223
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 4SOT223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
1790150 Pieces
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Specifiche per BSP89H6327XTSA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSP89H6327XTSA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 4SOT223
Serie :
SIPMOS®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
350mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6 Ohm @ 350mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 108µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.8W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-SOT223-4
Pacchetto / caso :
TO-261-4, TO-261AA
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSP89H6327XTSA1
Schede tecniche :
BSP89H6327XTSA1.pdf
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