IRF6655TRPBF - MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF6655TRPBF
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
738325 Pieces
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Specifiche per IRF6655TRPBF
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IRF6655TRPBF
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.7nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : DIRECTFET™ SH
Pacchetto / caso : DirectFET™ Isometric SH
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IRF6655TRPBF
Schede tecniche : IRF6655TRPBF.pdf
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