K4B4G0846D-BYNB - 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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Breve descrizione
4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Stato RoHS
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Specifiche per K4B4G0846D-BYNB
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
K4B4G0846D-BYNB
fabbricante :
Samsung Semiconductor
Descrizione :
4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Densità :
4 Gb
Org. :
512M x 8
Velocità :
2133 Mbps
Voltaggio :
1.35 V
Temp. :
0 ~ 85 °C
Pacchetto :
78FBGA
Stato prodotto :
Mass Production
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per K4B4G0846D-BYNB
Schede tecniche :
K4B4G0846D-BYNB.pdf
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