IRFH7110TR2PBF - MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

codice articolo del costruttore

IRFH7110TR2PBF

Numero parte interna

AX-IRFH7110TR2PBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

15912 Pieces

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Specifiche per IRFH7110TR2PBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRFH7110TR2PBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

Serie : HEXFET®

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta), 58A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 3240pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 3.6W (Ta), 104W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-PQFN (5x6)

Pacchetto / caso : 8-TQFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRFH , IRFH711

Documenti per IRFH7110TR2PBF

Schede tecniche : IRFH7110TR2PBF.pdf

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