FDC2612_F095 - MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FDC2612_F095
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
47652 Pieces
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Specifiche per FDC2612_F095
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDC2612_F095
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 725 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 234pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.6W (Ta)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SuperSOT™-6
Pacchetto / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FDC2612_F095
Schede tecniche : FDC2612_F095.pdf
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