AS4C8M16MSA-6BIN - IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per AS4C8M16MSA-6BIN

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AS4C8M16MSA-6BIN
fabbricante : Alliance Memory, Inc.
Descrizione : IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - Mobile
Dimensione della memoria : 128Mb (8M x 16)
Frequenza di clock : 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -
Tempo di accesso : 5ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 54-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 54-FBGA (8x8)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : AS4C8 , AS4C8M16

Documenti per AS4C8M16MSA-6BIN

Schede tecniche : AS4C8M16MSA-6BIN.pdf

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