IPI037N08N3GHKSA1 - MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

codice articolo del costruttore

IPI037N08N3GHKSA1

Numero parte interna

AX-IPI037N08N3GHKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

8376 Pieces

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Specifiche per IPI037N08N3GHKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPI037N08N3GHKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.75 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 155µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 117nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 8110pF @ 40V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 214W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3

Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPI03 , IPI037N0

Documenti per IPI037N08N3GHKSA1

Schede tecniche : IPI037N08N3GHKSA1.pdf

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