FDP020N06B-F102 - MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
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fabbricante
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MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FDP020N06B-F102
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDP020N06B-F102
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 268nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 20930pF @ 30V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 333W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220-3
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per FDP020N06B-F102
Schede tecniche : FDP020N06B-F102.pdf
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