EGL41DHE3_A/I - DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
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Breve descrizione
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
3793970 Pieces
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Specifiche per EGL41DHE3_A/I
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : EGL41DHE3_A/I
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Serie : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
Stato parte : Active
Diodo : Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 200V
Corrente: media rettificata (Io) : 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1V @ 1A
Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) : 50ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr : 5µA @ 200V
Capacità @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : DO-213AB, MELF (Glass)
Pacchetto dispositivo fornitore : DO-213AB
Temperatura operativa - Giunzione : -65°C ~ 175°C
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per EGL41DHE3_A/I
Schede tecniche : EGL41DHE3_A/I.pdf
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