SI8425DB-T1-E1 - MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

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fabbricante
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MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI8425DB-T1-E1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI8425DB-T1-E1
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 10V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : 4-WLCSP (1.6x1.6)
Pacchetto / caso : 4-UFBGA, WLCSP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SI84 , SI8425D

Documenti per SI8425DB-T1-E1

Schede tecniche : SI8425DB-T1-E1.pdf

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