IRF6609TR1 - MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF6609TR1
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
67165 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per IRF6609TR1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRF6609TR1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET
Serie :
HEXFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
31A (Ta), 150A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
69nC @ 4.5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
6290pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
1.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
DIRECTFET™ MT
Pacchetto / caso :
DirectFET™ Isometric MT
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRF6609TR1
Schede tecniche :
IRF6609TR1.pdf
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