IPU50R1K4CEBKMA1 - MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

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MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Stato RoHS
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Specifiche per IPU50R1K4CEBKMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPU50R1K4CEBKMA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Serie : CoolMOS™
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 8.2nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 178pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 25W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO251-3
Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IPU50 , IPU50R1K

Documenti per IPU50R1K4CEBKMA1

Schede tecniche : IPU50R1K4CEBKMA1.pdf

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