SISH106DN-T1-GE3 - MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

codice articolo del costruttore

SISH106DN-T1-GE3

Numero parte interna

AX-SISH106DN-T1-GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

574840 Pieces

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Specifiche per SISH106DN-T1-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SISH106DN-T1-GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Serie : TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12.5A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : ±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1.5W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® 1212-8SH

Pacchetto / caso : PowerPAK® 1212-8SH

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SISH1 , SISH106D

Documenti per SISH106DN-T1-GE3

Schede tecniche : SISH106DN-T1-GE3.pdf

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