IPT111N20NFDATMA1 - MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
112030 Pieces
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Specifiche per IPT111N20NFDATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPT111N20NFDATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 200V 96A HSOF-8
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
96A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 96A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 267µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
87nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
7000pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
375W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-HSOF-8-1
Pacchetto / caso :
8-PowerSFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPT111N20NFDATMA1
Schede tecniche :
IPT111N20NFDATMA1.pdf
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