LND01K1-G - MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-LND01K1-G
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1409895 Pieces
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Specifiche per LND01K1-G
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : LND01K1-G
fabbricante : Microchip Technology
Descrizione : MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 9V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 330mA (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : +0.6V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 46pF @ 5V
Caratteristica FET : Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) : 360mW (Ta)
temperatura di esercizio : -25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-23-5
Pacchetto / caso : SC-74A, SOT-753
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per LND01K1-G
Schede tecniche : LND01K1-G.pdf
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