IPB097N08N3 G - MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
15688 Pieces
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Specifiche per IPB097N08N3 G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPB097N08N3 G
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
70A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.7 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 46µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2410pF @ 40V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
100W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPB097N08N3 G
Schede tecniche :
IPB097N08N3 G.pdf
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