MT47H128M8SH-25E AIT:M - IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

codice articolo del costruttore

MT47H128M8SH-25E AIT:M

Numero parte interna

AX-MT47H128M8SH-25E AIT:M

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

88025 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per MT47H128M8SH-25E AIT:M

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : MT47H128M8SH-25E AIT:M

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria : 1Gb (128M x 8)

Frequenza di clock : 400MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns

Tempo di accesso : 400ps

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.7V ~ 1.9V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 60-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 60-FBGA (8x10)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : MT47H12 , MT47H128M8S

Documenti per MT47H128M8SH-25E AIT:M

Schede tecniche : MT47H128M8SH-25E AIT:M.pdf

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WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
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WI085175WJ22238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 2200PF 14KV.
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