TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

codice articolo del costruttore

TPS1101DR

Numero parte interna

AX-TPS1101DR

fabbricante

Texas Instruments

Breve descrizione

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

481965 Pieces

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Specifiche per TPS1101DR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TPS1101DR

fabbricante : Texas Instruments

Descrizione : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 15V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 11.25nC @ 10V

Vgs (massimo) : +2V, -15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 791mW (Ta)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOIC

Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per TPS1101DR

Schede tecniche : TPS1101DR.pdf

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