TK55D10J1(Q) - MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-TK55D10J1(Q)
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
6848 Pieces
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Specifiche per TK55D10J1(Q)
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
TK55D10J1(Q)
fabbricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
55A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
5700pF @ 10V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
140W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-220(W)
Pacchetto / caso :
TO-220-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per TK55D10J1(Q)
Schede tecniche :
TK55D10J1(Q).pdf
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