TK55D10J1(Q) - MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

codice articolo del costruttore

TK55D10J1(Q)

Numero parte interna

AX-TK55D10J1(Q)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6848 Pieces

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Specifiche per TK55D10J1(Q)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK55D10J1(Q)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 55A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 27A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5700pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 140W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220(W)

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK55 , TK55D1

Documenti per TK55D10J1(Q)

Schede tecniche : TK55D10J1(Q).pdf

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