FQD2N80TM_WS - MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-FQD2N80TM_WS
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
66055 Pieces
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Specifiche per FQD2N80TM_WS
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FQD2N80TM_WS
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Serie :
QFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
D-Pak
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FQD2N80TM_WS
Schede tecniche :
FQD2N80TM_WS.pdf
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