BSB056N10NN3GXUMA1 - MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

codice articolo del costruttore

BSB056N10NN3GXUMA1

Numero parte interna

AX-BSB056N10NN3GXUMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

299510 Pieces

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Specifiche per BSB056N10NN3GXUMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : BSB056N10NN3GXUMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2

Serie : OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta), 83A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5500pF @ 50V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.8W (Ta), 78W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : MG-WDSON-2, CanPAK M™

Pacchetto / caso : 3-WDSON

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : BSB056 , BSB056N10

Documenti per BSB056N10NN3GXUMA1

Schede tecniche : BSB056N10NN3GXUMA1.pdf

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