BSC0910NDIATMA1 - MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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479960 Pieces
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Specifiche per BSC0910NDIATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSC0910NDIATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4500pF @ 12V
Potenza - Max :
1W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TISON-8
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSC0910NDIATMA1
Schede tecniche :
BSC0910NDIATMA1.pdf
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