IRF5803D2 - MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IRF5803D2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
64990 Pieces
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Specifiche per IRF5803D2
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IRF5803D2
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1110pF @ 25V
Caratteristica FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max) :
2W (Ta)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-SO
Pacchetto / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IRF5803D2
Schede tecniche :
IRF5803D2.pdf
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