SIS430DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
60850 Pieces
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Specifiche per SIS430DN-T1-GE3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SIS430DN-T1-GE3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 12.5V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerPAK® 1212-8
Pacchetto / caso :
PowerPAK® 1212-8
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SIS430DN-T1-GE3
Schede tecniche :
SIS430DN-T1-GE3.pdf
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